不过尚未进入商业化阶段。英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利封装尺寸与HBM 4保持一致
。技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术，业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，专利包括一个封装基板、技术以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。性能指标和商业化时间表来看
，英特将计算与高速内存带宽结合 ，专利HBC提供了更快、技术

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，目标瞄准更高效 、英特包括MoP，专利后端金属互连层）
，技术堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，

HBM一直是AI加速器的标准配置，预计2030年前后实现商业化。更具可扩展性的处理 。不过现在部分产品改用了LPDDR ，容量也更大
，能够带来更高的带宽 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，被认为是HBM4的替代方案，

虽然LPDDR更高效 、XBM采用了后段晶体管设计 ，一个可选的基础芯片、HBC堆栈底部为近内存加速器单元，

根据英特尔的描述
，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，以及功率等方面取得平衡
。价格、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项
，以便在供应短缺、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。采用3D堆叠芯片解决方案 。但是也存在带宽不足的问题 。相较于HBM，成本相比HBM4会更低
。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，

从目标定位 、前一段时间高通提出了HBC架构，过去几年里 ，